Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSR33QTA

TRANS PNP 80V 1A SOT-89

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
BSR33QTA

BSR33QTA Hakkında

BSR33QTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-89-3 (TO-243AA) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanan bu transistör, 100MHz transition frequency özelliğine sahiptir. 100mV DC current gain (hFE) değeri ile amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 2.1W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, bu bileşeni geniş endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarına elverişli kılar. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve 500mV saturation voltajı özellikleriyle switching ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Aktif üretim durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Active
Power - Max 2.1 W
Supplier Device Package SOT-89-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok