Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSP52T1G

TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP52

BSP52T1G Hakkında

BSP52T1G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. SOT-223 (TO-261) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V kolektör-emiter gerilimi ve 1A kollektör akımı ile çalışabilir. Darlington konfigürasyonu sayesinde 2000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) sunar ve yalnızca 1.3V doyum gerilimi ile düşük güç kaybında çalışır. Maksimum 800mW güç tüketimi ile tasarlanan BSP52T1G, -65°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Düşük akım gereksinimleriyle röle kontrolü, motor sürücü uygulamaları, inverter devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 500mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Transistor Type NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.3V @ 500µA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok