Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSP31,115

TRANS PNP 60V 1A SOT223

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
BSP31

BSP31,115 Hakkında

BSP31,115, Nexperia tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 100MHz transition frequency özelliğine sahip olan transistör, DC current gain değeri 100mA, 5V'de 100 olarak belirlenmiştir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 1.3W güç dissipasyonunda güvenli şekilde kullanılabilir. Vce doyum voltajı 50mA base akımında, 500mA collector akımında 500mV'dir. Anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu, ses frekansı ve düşük güç RF devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 100nA ICBO (cutoff current) değeri ile minimal kaçak akımı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 1.3 W
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok