Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO615NGXUMA1
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO615
BSO615NGXUMA1 Hakkında
Infineon Technologies BSO615NGXUMA1, 8-SOIC paketinde sunulan dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 60V drain-source voltajı ve 2.6A continuous drain current kapasitesine sahiptir. 150mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount yapısı ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok