Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO615NGHUMA1
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO615NG
BSO615NGHUMA1 Hakkında
BSO615NGHUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliği ile düşük kontrol geriliminde çalışabilen bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150mΩ RDS(on) değeri ile enerji verimli tasarımlara uygundur. Surface Mount paketajda sunulan BSO615NGHUMA1, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. NOT: Bu ürün üretim dışı konumdadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok