Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO615N
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO615N
BSO615N Hakkında
BSO615N, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 2.6A maksimum drain akımına sahip bu bileşen, logic level gate kontrolü ile çalışır. 150mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıpla anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 8-pin SOIC paket tipinde sunulan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlamali güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Lojik seviyesi kontrollü gate yapısı düşük voltaj kontrol devrelerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok