Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO615

BSO615CT Hakkında

BSO615CT, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-Channel ve P-Channel kanalları içeren bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ile çalışır ve sırasıyla 3.1A ile 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliğine sahip olan BSO615CT, düşük gate charge (22.5nC) ve düşük Rds(On) (110mOhm) değerleriyle tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, switch mode power supplies, motor kontrol uygulamaları, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Surface mount 8SOIC pakette sunulan BSO615CT, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanı bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok