Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO615CGXUMA1
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO615
BSO615CGXUMA1 Hakkında
BSO615CGXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-kanal ve P-kanal FET'leri içeren bu bileşen, 60V maksimum drain-source geriliminde çalışır ve 3.1A (N-CH) ile 2A (P-CH) sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol geriliminde işletilmesi mümkündür. 110mOhm ve 300mOhm RDS(on) değerleriyle güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve switching uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC Surface Mount paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve endüstriyel kontrol sistemleri, IoT cihazları ve otoomotiv uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta), 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V, 460pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA, 2V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok