Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO615
BSO615CGHUMA1 Hakkında
BSO615CGHUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual MOSFET transistör dizisidir. N-kanallı ve P-kanallı konfigürasyonda sunulan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi altında 3.1A (N-CH) ve 2A (P-CH) sürekli drenaj akımı sağlar. Logic level gate özellikleri sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. Surface mount 8SOIC paketinde sunulan BSO615, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. 110mOhm maksimum on-resistance ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Bileşen yaşlanmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A, 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok