Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO612CVGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO612
BSO612CVGHUMA1 Hakkında
BSO612CVGHUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen çift kanallı MOSFET transistörüdür. N-channel ve P-channel yapıları içeren bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 3A/2A sürekli dren akımı ile çalışma kapasitesine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan transistör, güç yönetimi uygulamaları, anahtar devreler, motor denetim sistemleri ve voltage regulator tasarımlarında kullanılır. 120mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil çalışır. 2W maksimum güç dağıtımı ile entegre devre ve güç elektronik uygulamalarında yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A, 2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok