Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

BSO612CV

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

Paket/Kılıf
PG-DSO-8
Seri / Aile Numarası
BSO612CV

BSO612CV Hakkında

BSO612CV, Infineon Technologies tarafından üretilen ikili MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) dizisidir. N-kanal ve P-kanal transistörleri içeren bu bileşen, 60V drain-source gerilim sınırı ile çalışır. N-kanal versiyonu 3A, P-kanal versiyonu 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 120mOhm RDS(on) değeri ile (3A, 10V koşullarında) düşük açılış direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrol sistemlerinde ve genel amaçlı DC/AC dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8SOIC (PG-DSO-8) paketinde sunulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package PG-DSO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok