Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO330N02KG
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO330N02KG
BSO330N02KG Hakkında
BSO330N02KG, Rochester Electronics tarafından üretilen Dual N-Channel Power MOSFET dizisidir. 20V drain-source gerilimi ve 5.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic Level Gate özelliğiyle düşük kontrolleyici voltajlarından çalıştırılabilir. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve Surface Mount PG-DSO-8 paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 730pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok