Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO211PHXUMA1
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO211
BSO211PHXUMA1 Hakkında
BSO211PHXUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual P-channel MOSFET'tir. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gerilim uygulamalarında çalışabilir. 8DSO yüzey montajı paketinde sunulur. 67mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtar ve yükseltici devreleri, küçük güç yönetimi uygulamaları ve portabl cihazlarda kullanılabilir. Ürün mevcut üretimde sona ermiş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1095pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok