Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

BSO211PH

3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,

Paket/Kılıf
144-BGA
Seri / Aile Numarası
BSO211

BSO211PH Hakkında

BSO211PH, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate sürüş özelliği ile 2.5V sürüş voltajında çalışabilir. 20V Drain-Source voltaj sınırlaması ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 67mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, darbe genişlik modülasyonu (PWM) kontrolü gerektiren sistemlerde, batarya yönetim devrelerinde ve sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, Surface Mount FCBGA paketlemesi ile kompakt tasarımları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1095pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 532-BFBGA, FCBGA
Part Status Active
Power - Max 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Supplier Device Package 532-FCBGA (23x23)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok