Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSO211P
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- PG-DSO-8
- Seri / Aile Numarası
- BSO211P
BSO211P Hakkında
BSO211P, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power MOSFET dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source voltajında 4.7A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 4.5V gate voltajında 67mOhm on-resistance ile düşük güç kaybında çalışan devreler tasarlanabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve surface mount (PG-DSO-8) paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve genel switching devrelerinde kullanılır. 2W maksimum güç derecelendirilmesi ve düşük gate charge özellikleri hızlı anahtarlama gerekli uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok