IGBT Transistörler - Modüller
BSM75GD120DN2BOSA1
IGBT MOD 1200V 103A 520W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM75GD120DN2
BSM75GD120DN2BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSM75GD120DN2BOSA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V durdurma voltajı ve 103A nominal akım ile yüksek güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. Maksimum 520W güç kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile elektrik motor sürücüleri, güç kaynakları, kaynak makineleri ve endüstriyel dönüştürücü sistemlerinde yer alır. Vce(on) değeri 3V @ 15V, 75A koşullarında ölçülmüş olup, chassis mount montajı ile montaj kolaylığı sağlar. Standart giriş konfigürasyonu ve 5.1nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 103 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1.5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 520 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok