IGBT Transistörler - Modüller
BSM75GB170DN2HOSA1
IGBT MOD 1700V 110A 625W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM75GB170DN2
BSM75GB170DN2HOSA1 Hakkında
BSM75GB170DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülü olup yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 1700V collector-emitter breakdown voltajı ve 110A maksimum kolektör akımı ile güç elektronikleri devrelerinde anahtarlama elemanı görevi yapar. 625W maksimum güç kapasitesi sayesinde endüstriyel sürücüler, invertörler ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir. Chassis mount tipi modül tasarımı, soğutma sistemine entegre edilmesi için uygun olup, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Vce(on) değeri 3.9V (@15V, 75A) ile enerji kaybı minimize edilir. Standart giriş konfigürasyonu ve 11nF giriş kapasitansı hızlı komütasyon karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 110 A |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 11 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok