IGBT Transistörler - Modüller
BSM75GB120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 105A 625W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM75GB120DN2
BSM75GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM75GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış olup, 105A maksimum collector akımı ve 625W güç derecelendirmesine sahiptir. Vce(on) değeri 75A'de 3V olarak belirtilmiştir. Chassis mount tipi ile pannellere ve endüstriyel uygulamalara entegre edilebilir. NTC termistor içermez ve maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. Standard giriş kapasitansına (5.5nF @ 25V) sahip bu modül, güç elektronikleri, motor sürücüleri, invertörler ve kaynak cihazları gibi yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Last Time Buy statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 105 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1.5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.5 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 625 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok