IGBT Transistörler - Modüller
BSM75GAR120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 30A 235W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM75GAR120DN2
BSM75GAR120DN2HOSA1 Hakkında
BSM75GAR120DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/30A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu bileşen, maksimum 235W güç kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15A kolektör akımında 2.2V olarak tasarlanmıştır. Chassis mount konfigürasyonu ile endüstriyel ve elektrik güç dönüştürme sistemlerinde, invertörler ve motor kontrol devrelerinde uygulanır. -40°C ile 175°C arasında çalışır. Standard giriş konfigürasyonu ve 1 nF @ 25V giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 235 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok