IGBT Transistörler - Modüller

BSM75GAL120DN2HOSA1

IGBT MOD 1200V 105A 625W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM75GAL120DN2

BSM75GAL120DN2HOSA1 Hakkında

BSM75GAL120DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/105A IGBT modülüdür. Single Switch konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirir. 625W maksimum güç kapasitesi ve 3V Vce(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Vge 15V'de 75A akımda çalışacak şekilde optimize edilmiştir. Chassis Mount tipi montajla endüstriyel cihazlara entegre edilebilir. İçeriğinde NTC Thermistor bulunmamakta olup, işletim sıcaklığı 150°C'ye kadar dayanabilmektedir. Güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Last Time Buy (Son İtibari Alım) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max) 105 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1.4 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Last Time Buy
Power - Max 625 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok