Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM600D12P3G001
1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM600D12P3G
BSM600D12P3G001 Hakkında
BSM600D12P3G001, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 576A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) tabanlı Half Bridge MOSFET modülüdür. İki adet N-Channel FET içeren bu bileşen, yüksek voltaj güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 600A sürekli dren akımı, 1200V dren-kaynak gerilimi ve 2450W maksimum güç yönetme kapasitesi ile endüstriyel sürücü, invertör, DC-DC dönüştürücü ve motor kontrol uygulamalarında yer alır. Chassis mount paket tipi ile sabit montaj gerektiren sistemlerde kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilir ve düşük kapasitans değerleri (31000pF) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2450W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok