IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GP60BOSA1
IGBT MODULE 600V 70A 250W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GP60BOSA1
BSM50GP60BOSA1 Hakkında
BSM50GP60BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/70A IGBT modülüdür. Full Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 250W güç kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. Vce(on) değeri 2.75V @ 15V, 25A şartlarında ölçülmüştür. Modül, Three Phase Bridge Rectifier giriş yapısına sahip olup, NTC Thermistor ile sıcaklık koruması sağlanmaktadır. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığında işletilmeye uygun olan BSM50GP60BOSA1, Chassis Mount tipi montaj seçeneği sunar. Collector Emitter Breakdown voltajı maksimum 600V'dur. Input Capacitance (Cies) değeri 25V'de 1.1nF olarak belirtilmiştir. Motor sürücü uygulamaları, AC-DC konverterler ve güç kontrol sistemlerinde kullanım alanı bulunan bu eski nesil modül, soğutma yüzeyi ile entegre tasarımı sayesinde kompakt kurulum imkanı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500 µA |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok