IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GP120BOSA1
IGBT MODULE 1200V 50A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GP120BOSA1
BSM50GP120BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSM50GP120BOSA1, 1200V/50A kapasiteli IGBT modülüdür. Üç fazlı inverter yapılandırması ile tasarlanan bu modül, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevi yerine getirir. Chassis mount tipi gövdesi ile endüstriyel sistemlerde yer alan güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve kaynak cihazlarında kullanılır. NTC thermistor entegrasyonu ile sıcaklık kontrolü sağlayan modül, -40°C ile 125°C arasında çalışabilir. Maksimum Vce(on) değeri 2.55V'dir (15V gate voltajında, 50A akımda). 1200V kollektör-emiter kırılma voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 3 Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500 µA |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.55V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok