IGBT Transistörler - Modüller

BSM50GD170DLBOSA1

IGBT MOD 1700V 100A 480W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM50GD170DL

BSM50GD170DLBOSA1 Hakkında

BSM50GD170DLBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Full Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1700V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 100A maksimum collector akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 480W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel sürücü devreleri, inverter uygulamaları, kaynak makinaları ve AC motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Chassis mount tipi gövde yapısı soğutucu entegrasyonunu kolaylaştırır. 3.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -40°C ile +125°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında uygulama imkanı sunar. Standart giriş tipine sahip modül, endüstriyel enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 100 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100 µA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Obsolete
Power - Max 480 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok