IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
IGBT MOD 1200V 50A 350W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GD120DN2
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSM50GD120DN2E3226BOSA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT güç modülüdür. 1200V voltaj kapasitesi ve 50A maksimum kolektör akımı ile 350W güç işleme kapasitesine sahiptir. Chassis mount tipinde paketlenmiş bu modül, endüstriyel sürücüler, klima sistemleri, kaynak makineleri ve fotovoltaik inverterlerde kullanılır. 3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Modül, yüksek frekanslı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 350 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok