IGBT Transistörler - Modüller

BSM50GD120DN2BPSA1

LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM50GD120DN2

BSM50GD120DN2BPSA1 Hakkında

BSM50GD120DN2BPSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Full Bridge konfigürasyonlu IGBT transistör modülüdür. 1200V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 72A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 350W maksimum güç kapasitesi, 3V Vce(on) değeri ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel kontrol, motor sürücü ve konverter uygulamalarına uygun bir çözümdür. AG-ECONO2A paket tipi ile chassis montajına destekler. Baskı devre kartlarında düşük güç dissipation gerektiren ve kompakt tasarım istenen devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 72 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Not For New Designs
Power - Max 350 W
Supplier Device Package AG-ECONO2A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok