IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GD120DN2BOSA1
IGBT MOD 1200V 72A 350W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GD120DN2
BSM50GD120DN2BOSA1 Hakkında
BSM50GD120DN2BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Full Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1200V kollektör-emitör gerilimi ve 72A maksimum akım kapasitesine sahip bu komponent, 350W güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gerilim ve 50A akımda maksimum 3V'dur. Chassis mount tipi montajla endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürücülerde uygulanır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Standard giriş konfigürasyonu ve 3.3 nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 72 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 350 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok