IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GD120DLCBOSA1
IGBT MOD 1200V 85A 350W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GD120DLCBOSA1
BSM50GD120DLCBOSA1 Hakkında
BSM50GD120DLCBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış IGBT transistör modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 85A maksimum collector akımı ile güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 350W maksimum güç kapasitesi, -40°C ile 125°C işletme sıcaklık aralığı ve Chassis Mount konfigürasyonu ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda yer alır. Vce(on) değeri 2.6V @ 15V, 50A koşullarında ölçülmüştür. 3.3nF giriş kapasitansı ve düşük kolektör kesinti akımı (84µA) özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 84 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 350 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok