IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GB170DN2HOSA1
IGBT MOD 1700V 72A 500W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GB170DN2
BSM50GB170DN2HOSA1 Hakkında
BSM50GB170DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 1700V breakdown voltajı ve 72A maksimum kolektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 500W güç kapasitesi ile inverter, motor kontrol ve AC/DC dönüştürücü devrelerde yer alabilir. Chassis mount tipi kasa tasarımı ile doğrudan montaj imkanı sunar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 50A akımda 3.9V'tur. Ürün halen üretilmemekle birlikte arşiv uygulamaları ve yedek parça ihtiyaçları için mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 72 A |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok