IGBT Transistörler - Modüller
BSM50GB120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 78A 400W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM50GB120DN2
BSM50GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM50GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/78A kapasiteli IGBT güç modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış olan bu modül, maksimum 400W güç yönetimi için uygundur. Vce(on) değeri 3V @ 15V, 50A koşullarında belirtilmiştir. Collector-Emitter breakdown voltajı 1200V ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 150°C junction sıcaklığında çalışan komponent, Chassis Mount yapısıyla endüstriyel güç dönüştürücü, frekans konvertörleri, motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. Input Capacitance 3.3nF @ 25V olarak ölçülmüştür. Part Status Last Time Buy durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 400 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok