IGBT Transistörler - Modüller

BSM50GB120DLCHOSA1

IGBT MOD 1200V 115A 460W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM50GB120DLCHOSA1

BSM50GB120DLCHOSA1 Hakkında

BSM50GB120DLCHOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1200V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 115A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 460W maksimum güç kapasitesi, 2.6V Vce(on) değeri ve -40°C ile 125°C arasında işletme sıcaklığı aralığı ile endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Chassis mount tipi montaj seçeneği ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 115 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Last Time Buy
Power - Max 460 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok