IGBT Transistörler - Modüller

BSM50GAL120DN2HOSA1

IGBT MOD 1200V 78A 400W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM50GAL120DN2

BSM50GAL120DN2HOSA1 Hakkında

BSM50GAL120DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/78A IGBT modülüdür. Single Switch konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 400W maksimum güç seviyesinde çalışır ve 150°C işletme sıcaklığına dayanıklıdır. Chassis mount tipinde paketlenenkomponent, Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 3V'tur. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 3.3nF input kapasitansı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel sürücü devreleri, güç dönüştürücüleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilmektedir. Last Time Buy statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single Switch
Current - Collector (Ic) (Max) 78 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Last Time Buy
Power - Max 400 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok