Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM400D12P3G002
1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM400D12P3G002
BSM400D12P3G002 Hakkında
BSM400D12P3G002, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 358A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Half Bridge modülüdür. 2 adet N-Channel FET içeren bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında inverter ve DC-DC dönüştürücü devreleri için kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan komponent, 400A sürekli drenaj akımı ve 1570W maksimum güç yönetimini desteklemektedir. Chassis mount modül tipinde sunulan BSM400D12P3G002, elektrik araçları, endüstriyel güç elektroniği ve yenilenebilir enerji sistemlerinde uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1570W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 109.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok