Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM400D12P2G003
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM400D12P2G003
BSM400D12P2G003 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen BSM400D12P2G003, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir güç modülüdür. 2 adet N-Channel transistörden oluşan Half Bridge konfigürasyonuyla tasarlanmıştır. 400A sürekli dren akımı ve 1200V dren-kaynak gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 2450W maksimum güç kapasitesi ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve motor sürücü uygulamalarında etkin performans sağlar. 38000pF input kapasitansi ve 4V kapı eşik gerilimi özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 38000pF @ 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2450W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 85mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok