IGBT Transistörler - Modüller

BSM35GB120DN2HOSA1

IGBT MOD 1200V 50A 280W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM35GB120DN2

BSM35GB120DN2HOSA1 Hakkında

BSM35GB120DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1200V besleme voltajında 50A kolektör akımı ile çalışabilen bu modül, 280W maksimum güç yeteneğine sahiptir. Vce(on) değeri 3.2V @ 15V, 35A'dir ve input kapasitansı 2 nF @ 25V'dir. Şasi montajı için uygun olan bu bileşen, endüstriyel uygulamalarda güç anahtarlaması, motor sürücüleri, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Son üretim satın alımı (Last Time Buy) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Last Time Buy
Power - Max 280 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok