Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM300D12P3E005
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM300D12P3E005
BSM300D12P3E005 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen BSM300D12P3E005, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir güç modülüdür. 2 adet N-Channel FET'ten oluşan half-bridge konfigürasyonu ile tasarlanmıştır. 300A sürekli dren akımı ve 1200V dren-kaynak gerilimi özelliğiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 1260W güç yönetim kapasitesine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. Chassis Mount montaj tipi ile endüstriyel uygulamalarda, elektrik dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde yer alabilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük kayıplar ve yüksek anahtarlama hızları sağlar. Modul paket formatında sunulan ürün, 14000pF (10V'da) giriş kapasitansı ile karakterizedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1260W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 91mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok