Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001 Hakkında
BSM300D12P2E001, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 2N-Channel Half Bridge MOSFET modülüdür. 1200V (Vdss) drean-source gerilim ile 300A sürekli drenaj akımını kaldırabilir ve maksimum 1875W güç yayabilir. Vgs(th) 4V olup, giriş kapasitansi 35000pF (@ 10V) değerine sahiptir. Chassis Mount üzerinden monte edilir ve -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük kayıplar ve yüksek verim sağlar. Endüstriyel uygulamalar, yenilenebilir enerji sistemleri, güç dönüştürücüler ve motor sürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 35000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1875W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 68mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok