IGBT Transistörler - Modüller
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
IGBT MOD 1200V 35A 200W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM25GD120DN2E3224
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Hakkında
BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen üç fazlı inverter konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 1200V breakdown voltajı ve 35A maksimum kollektör akımı ile endüstriyel güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 200W güç kapasitesi, 3V Vce(on) değeri ve 1.65nF input kapasitansi ile verimli anahtarlama özelliği sunar. Chassis mount tipi kasa ile soğutma sistemlerine entegre edilebilir. Motor kontrolü, kaynak makineleri, UPS sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 800 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.65 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok