IGBT Transistörler - Modüller
BSM25GD120DN2BOSA1
IGBT MOD 1200V 35A 200W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM25GD120DN2
BSM25GD120DN2BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BSM25GD120DN2BOSA1, Full Bridge konfigürasyonunda IGBT transistör modülüdür. 1200V Collector-Emitter breakdown voltajı ve maksimum 35A Collector akımı ile çalışır. 200W maksimum güç derecelendirmesine sahip olan bu modül, 3V Vce(on) değeriyle 25A akımda 15V Vge voltajında çalışır. Chassis mount tipi montajla sabitlenen bu komponent, 150°C maksimum işletme sıcaklığında kullanılır. Standard input konfigürasyonu ve 1.65nF giriş kapasitansı (25V'de) özelliğindedir. Endüstriyel sürücü devreleri, elektrik motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanım alanı bulur. NTC termistor entegrasyonu bulunmamaktadır. Ürün yeni tasarımlara yönelik değildir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 800 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.65 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok