Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM250D17P2E004
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen BSM250D17P2E004, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı yarım köprü (half-bridge) modülüdür. İki adet N-Channel MOSFET'ten oluşan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 250A sürekli dren akımı ve 1700V dren-kaynak gerilimi ile güç dönüştürme, inverter, UPS sistemleri ve endüstriyel motor sürücü uygulamalarında çalışır. Chassis mount modülü tipinde paketlenmiş olan komponent, -40°C ile 150°C arasında çalışır ve 1800W maksimum güç dissipasyonuna dayanır. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1800W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 66mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok