IGBT Transistörler - Modüller
BSM200GB120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 290A 1400W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM200GB120DN2
BSM200GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM200GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 290A kapasiteli IGBT güç modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu modül, yüksek akım ve voltaj uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi montajla endüstriyel güç dönüştürücüleri, sürücü devreler ve AC-DC/DC-DC uygulamalarında yer alır. Maksimum 1400W güç yönetimi kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile uzun süreli güvenilir işletme sağlar. VCE(on) değeri 3V (15V, 200A koşullarında) olarak belirtilmiştir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 290 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 4 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 13 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 1400 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok