Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM180D12P3C007
SIC POWER MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007 Hakkında
BSM180D12P3C007, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) güç modülüdür. Dual N-Channel konfigürasyonunda iki MOSFET içeren bu modül, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. 1200V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol, güç kaynakları ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yer alır. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar, yüksek sıcaklık toleransı (175°C) ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Surface mount paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 880W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 50mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok