Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM180D12P2E002
1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002 Hakkında
BSM180D12P2E002, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V, 204A rated bir Silicon Carbide (SiC) Half Bridge FET modülüdür. 2 N-Channel transistörden oluşan bu entegre modül, yüksek güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1360W maksimum güç kapasitesi ile endüstriyel sürücü devreleri, renewable energy sistemleri, elektrikli araç traction inverterları ve UPS sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Chassis mount modül yapısı ile doğrudan isı yönetimi sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 18000pF maksimum giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 204A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 18000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1360W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok