Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM180D12P2C101
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101 Hakkında
BSM180D12P2C101, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET modülüdür. Half-bridge konfigürasyonunda iki transistör içeren bu komponent, 1200V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen modül, maksimum 1130W güç harcaması ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama, düşük kayıplar ve verimli termal yönetim sağlar. Güç dönüştürücüler, endüstriyel inverterler, elektrikli araç şarj sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 204A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1130W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok