IGBT Transistörler - Modüller
BSM150GB170DN2HOSA1
IGBT MOD 1700V 220A 1250W
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM150GB170DN2
BSM150GB170DN2HOSA1 Hakkında
BSM150GB170DN2HOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltajlı IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, 1700V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 220A maksimum kollektör akımı ile çalışır. 150°C işletme sıcaklığında 1250W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V kapı geriliminde 150A akımda 3.9V olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipi ile sabit kurulum için uygun olan bu modül, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol sistemleri ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. Standart giriş konfigürasyonu ve 20nF input kapasitansiyle yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Parça eski (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 220 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1.5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 20 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok