IGBT Transistörler - Modüller
BSM150GB120DN2HOSA1
IGBT MOD 1200V 210A 1250W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM150GB120DN2
BSM150GB120DN2HOSA1 Hakkında
BSM150GB120DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/210A kapasiteli IGBT güç modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bu modül, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maximum 1250W güç kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile tasarlanan komponent, 3V Vce(on) değerine sahiptir. Chassis mount tipi montajla panel ve endüstriyel ekipmanlara doğrudan yerleştirilebilir. Standart IGBT giriş karakteristiklerine sahip bu modül, güvenilir anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 210 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2.8 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 11 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 1250 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 150A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok