IGBT Transistörler - Modüller

BSM150GB120DLCHOSA1

IGBT MOD 1200V 300A 1250W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
BSM150GB120DLCHOSA1

BSM150GB120DLCHOSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen BSM150GB120DLCHOSA1, Half Bridge konfigürasyonunda bir IGBT modülüdür. 1200V collector-emitter diyelectric dayanıklılığı ve 300A maksimum collector akımı ile tasarlanmış olup, 1250W güç kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate-emitter gerilimi ve 150A collector akımında 2.6V'tur. 11nF input kapasitansı ile hızlı switching karakteristiği sunar. Chassis mount tipinde paketlenmiş olan bu modül, -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri ve güç çevirici uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Part Status olarak üretimi sonlandırılmış olup, yeni tasarımlara önerilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 300 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Not For New Designs
Power - Max 1250 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok