Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM120D12P2C005
BSM120D12P2C005 Hakkında
BSM120D12P2C005, ROHM Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı MOSFET modülüdür. 2 adet N-Channel transistörden oluşan Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmıştır. 1200V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 780W güç dağıtabilir. -40°C ile 150°C arasında çalışır. Module paketinde sunulur. Güç dönüştürme uygulamaları, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel invertörlerde kullanılır. 14000pF giriş kapasitansı (@ 10V) ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 780W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok