Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSM120C12P2C201
1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- BSM120C12P2C201
BSM120C12P2C201 Hakkında
BSM120C12P2C201, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 1200V/134A Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET modülüdür. Chassis mount tipinde paketlenen bu komponent, 935W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 4V gate-source eşik voltajı ile kontrol edilir. 14000pF input kapasitansı sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç elektronikleri uygulamalarında, inverter, konverter, chopper ve motor kontrol devreleri gibi yüksek voltaj ve yüksek akım gerektiren sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 134A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 935W (Tc) |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok