IGBT Transistörler - Modüller
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
IGBT MODULE 1200V 15A 80W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BSM10GD120DN2E3224
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Hakkında
BSM10GD120DN2E3224BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 80W güce sahip Full Bridge IGBT modülüdür. 15A maksimum collector akımı ve 3.2V on-state gerilimi ile medium power uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi bu modül, motor kontrolü, güç kaynakları, inverter ve switched-mode power supply (SMPS) devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında stabil performans sunar. 1200V breakdown gerilimi yüksek voltaj uygulamalarına uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 530 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 80 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok